Sn-119m

半衰期 ：293.1天
光子能量 ：
                γ       23.87keV（16.1%）
                XK_α   25.27keV（22.0%）
                XK_β   28.57keV（4.85%）
Sn-119m沉積在標準或定製的基材（CaSnO3 ，BaSnO3和SnO2）上 ，基材由高比活度（〉300mCi/g）的Sn-119m放射性核素和純度超過99.9%的放射性同位素合成 。鈹窗用銅焊固定 ，鈦合金源托用激光焊接 ，確保環境安全無汙染泄露 。

1 源托型號 1 ，3                                                2 源托型號 5 ，6

*公差 ：±10%
ISO類別 ：C54243
推薦使用壽命 ：5年
半峰寬測量 ，用0.09mg/cm²  Sn-119m鋇錫酸鹽吸收體 ，不超過0.80mm/s